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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

在25 C的連續集電極電流: 140 A 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

封裝: Tray 

高度: 17 mm  

長(cháng)度: 122 mm  

寬度: 62 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

提升輸入信號INA和INB的抗噪聲性能

典型情況下，當INA/INB升高到大約2.6V的閾值電壓時(shí)，所有SCALE-2驅動(dòng)核將會(huì )開(kāi)啟相應的通道。

而關(guān)斷閾值電壓大約為1.3V。因此，回差為1.3V。在有些噪聲干擾很?chē)乐氐膽弥?，升高輸入閾值電壓有助于避免錯誤的開(kāi)關(guān)行為。

為此，按照下圖在盡可能靠近驅動(dòng)核的位置放置分壓電阻R2和R3。確保分壓電阻R2和R3與驅動(dòng)器之間的距離盡可能小對于避免在PCB上引起干擾至關(guān)重要。

舉例：在開(kāi)通瞬間，假設R2=3.3k?，R3=1k?，INA=+15V。在沒(méi)有R2和R3的情況下，INA達到2.6V后驅動(dòng)器立即導通。

分壓網(wǎng)絡(luò )可將開(kāi)通閾值電壓升高至大約11.2V，關(guān)斷閾值電壓則提升至大約5.6V。在此例中，INA和INB信號的驅動(dòng)器在IGBT導通狀態(tài)下必須持續提供3.5mA的電流。

IGBT 4代模塊概念：在開(kāi)關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結溫規格為 150°C，比IGBT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規格提高了25°C！

出發(fā)點(diǎn)：適應芯片小型化（Rthjc?，?Tjc[=PLoss×Rthjc]?）

實(shí)現：IGBT4模塊內部焊線(xiàn)工藝的改進(jìn)

可靠性因素：焊線(xiàn)工藝決定了模塊的可靠性指標之一-功率循環(huán)（PC）次數。PC次數與結溫有關(guān)，在相同的結溫擺幅下，結溫越高，PC次數越低。

要提高結溫規格，必須改進(jìn)焊線(xiàn)工藝，才能保證模塊用于更高的結溫時(shí)，其PC次數（使用壽命）不減。

結果：

1.IGBT4模塊的可靠性（PC次數）大幅增加

2.IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應用功率）

3.以較小的封裝尺寸實(shí)現相同的電流規格（功率密度）