英飛凌igbt銷(xiāo)售
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19
2019-03
IGBT的幾大檢測方法
IGBT的幾大檢測方法IGBT有三個(gè)電極，分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱(chēng)漏極)及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極)一、用指針式萬(wàn)用表對場(chǎng)效應管進(jìn) ...
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15
2019-01
MOS管和IGBT模塊的測試方法
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其 ...
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24
2018-12
變壓器隔離全橋IGBT驅動(dòng)電路設計
變壓器隔離全橋IGBT驅動(dòng)電路設計在脈沖電源中，驅動(dòng)電路的質(zhì)量直接關(guān)系到逆變器的正常工作。一個(gè)好的驅動(dòng)電路首先要保證開(kāi)關(guān)的安全，其次要使開(kāi)關(guān)的損耗小。 ...
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20
2018-12
IGBT的主要I-V特性
IGBTIGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn)，而且具有大功率晶體管低導通電壓和高導通電流的優(yōu) ...
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2018-12
IGBT的結構和原理
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其 ...
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2018-12
IGBT的封裝失效機理
IGBTIGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn)，而且具有大功率晶體管低導通電壓和高導通電流的優(yōu) ...
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12
2018-11
單電源IGBT驅動(dòng)電路設計
單電源IGBT驅動(dòng)電路設計 隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，IGBT的應用日益廣泛，而IGBT應用的關(guān)健問(wèn)題是其驅動(dòng)電路和保護電路的 ...
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07
2018-11
簡(jiǎn)單易懂的IGBT驅動(dòng)電路
IGBTIGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn)，而且具有大功率晶體管低導通電壓和高導通電流的優(yōu) ...
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04
2018-11
英飛凌IGBT芯片技術(shù)及選型
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其 ...
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03
2018-11
用于輕型牽引車(chē)中儲能系統的半導體解決方案介紹
IGBTIGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其 ...
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