IGBT
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流大; MOSFET驅動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通電壓降大，且載流密度小。 IGBT結合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉換器系統，如交流電機、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅動(dòng)和其他領(lǐng)域。
MOSFET測試方法：
如果知道FET的類(lèi)型和針腳，用萬(wàn)用表測量G（柵極）和S（源）之間沒(méi)有PN結電阻，G和D（漏極）之間沒(méi)有PN結電阻，表明管損壞。萬(wàn)用表的R*1KOH檔分別與場(chǎng)效應管的S極和D極相連，表面棒用手接觸管極和G極。如果針不動(dòng)，管子就不好；如果針比較大。振蕩表明管道可用。
另外：1.結型場(chǎng)效應晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應晶體管的區別
（1）區分包裝
由于絕緣柵場(chǎng)效應管的柵極易被擊穿和損壞，插腳通常短路或用金屬箔包裹，而結場(chǎng)效應管在包裝上沒(méi)有特殊要求。
（2）測量指針式萬(wàn)用表的電阻。
用萬(wàn)用表的“R*LK”或“R*100”檔測量G、S腳之間的電阻和N結的正負電阻。管子是節管。
2。用萬(wàn)用表電阻鑒別結場(chǎng)效應管腳
一般采用R*1K或R*100檔進(jìn)行測量。當選擇兩個(gè)管腳時(shí)，正確和反向電阻相同（均為數千歐元），兩個(gè)電極為D和S電極（在使用中可互換），其余電極相同。
由于絕緣柵場(chǎng)效應管在測量中容易損壞，一般建議在不使用該方法識別管腳的情況下查閱手冊。
檢測IGBT模塊好壞的簡(jiǎn)單方法：
1。要判斷極性，首先將萬(wàn)用表設置在R*1K，用萬(wàn)用表測量時(shí)，如果一個(gè)極和另一個(gè)極的電阻為無(wú)窮大，更換表筆后，極和另一個(gè)極的電阻仍為無(wú)窮大，則判斷極的柵極（G）。其他兩極用萬(wàn)用表測量。如果測得的電阻為無(wú)窮大，則更換筆后測得的電阻很小。當電阻較小時(shí)，判斷紅色表筆連接為集電極（C），黑色表筆連接為發(fā)射極（E）。
2。判斷是好是壞，將萬(wàn)用表置于R*10kQ檔，用黑筆連接IGBT的集電極（C），用紅筆連接IGBT的正時(shí)桿（E）。此時(shí)萬(wàn)用表指針為零。同時(shí)用手指觸摸下柵極（G）和集電極（C），觸發(fā)并打開(kāi)手動(dòng)GBT。萬(wàn)用表指針向電阻較小的方向擺動(dòng)，可由站在某一位置指示。然后用手指同時(shí)觸摸柵極（G）和發(fā)射極（E），然后IGBT被阻斷，萬(wàn)用表指針回到零位。此時(shí)，可以判斷IGBT是好的。
三。請注意，任何指針式萬(wàn)用表電鈴都可以用來(lái)檢測IGBT。在判斷IGBT的質(zhì)量時(shí)，必須將萬(wàn)用表置于R*IOK塊中。由于R*ikq以下的萬(wàn)用表內部電池電壓過(guò)低，檢測到質(zhì)量時(shí)無(wú)法打開(kāi)IGBT，無(wú)法判斷IGBT的質(zhì)量。該方法也可用于功率場(chǎng)效應晶體管（P-MOSFET）的質(zhì)量檢測。
以?xún)蓚€(gè)單位為例：模擬萬(wàn)用表測量
靜態(tài)測量：將萬(wàn)用表置于倍率100，測量黑色表筆連接1個(gè)端子，紅色表筆連接2個(gè)端子，顯示電阻應無(wú)窮大；
顯示器的阻力應該在400歐元左右。同樣，黑色表筆連接3個(gè)端子，紅色表筆連接1個(gè)端子。
顯示電阻應為無(wú)窮大，調整筆時(shí)，顯示電阻應約為400歐姆。如果上述情況得到滿(mǎn)足，則表明IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障。
動(dòng)態(tài)測試：萬(wàn)用表檔位在10公里，用黑筆連接4個(gè)端子，用紅筆連接5個(gè)端子，用紅筆連接3個(gè)端子，用黑筆連接1個(gè)端子。此時(shí)電阻應為300-400拍，調整筆的電阻也有300-400拍左右，說(shuō)明IGBT單元是完美的。
用同樣的方法對1號和2號端子之間的IGBT進(jìn)行測試，如果滿(mǎn)足上述條件，則表明IGBT也完好無(wú)損。
將萬(wàn)用表置于R*10K塊內，用黑筆接IGBT的漏極（D），用紅筆接IGBT的源。此時(shí)，萬(wàn)用表指針指向無(wú)窮遠。當手指同時(shí)接觸柵極（G）和漏極（D）時(shí)，IGBT被觸發(fā)并打開(kāi)。萬(wàn)用表指針向電阻較小的方向擺動(dòng)，能在一定的位置上站立和指示。然后用手指同時(shí)觸摸源極和柵極，然后IGBT被阻斷，萬(wàn)用表指針?lè )祷責o(wú)窮遠。此時(shí)，可以判斷IGBT是好的。
igbt模塊測量注意事項：
1。為了便于測量，直接從驅動(dòng)板上拔出C、G、E。
2。進(jìn)入第二次測量時(shí)，發(fā)射極（E）和柵極（G）應短接。
三。如果用指針式萬(wàn)用表判斷IGBT是好是壞，則必須將萬(wàn)用表設置在R*10K塊內。由于R*1K塊以下的萬(wàn)用表內部電池電壓太低，測試好壞時(shí)無(wú)法打開(kāi)IGBT，無(wú)法判斷IGBT好壞。
4。使用指針式萬(wàn)用表時(shí)，黑色表筆對應電源正極，紅色表筆對應負極。因此，在測量IGBT時(shí)，測量端與數字表相對。
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