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  • 18
    2019-03

    氮化鎵技術(shù)如何應用在適配器和充電器領(lǐng)域?

    氮化鎵技術(shù)如何應用在適配器和充電器領(lǐng)域?1 簡(jiǎn)介寬帶隙功率半導體的商業(yè)可用性及其明顯更好的品質(zhì)因數對許多客戶(hù)提出了一些基本問(wèn)題:基于這些寬帶隙器件的系 ...

  • 11
    2019-01

    IGBT高頻電源

    IGBT高頻電源IGBT中頻電源是一種串聯(lián)諧振中頻感應熔煉爐電源。它的逆變器是一種新型的IGBT模塊(德國西門(mén)子公司生產(chǎn)的絕緣柵雙極晶體管)。主要用于 ...

  • 07
    2019-01

    IGBT器件的國產(chǎn)化為何如此重要?

    IGBT器件的國產(chǎn)化為何如此重要?最近,國內一家知名的新能源汽車(chē)公司召開(kāi)了新車(chē)發(fā)布會(huì ),會(huì )議將自主研發(fā)IGBT技術(shù)納入其核心競爭力。為什么IGBT如此重 ...

  • 22
    2018-12

    如何正確計算并最大限度減小IGBT的死區時(shí)間?

    IGBTIGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn),而且具有大功率晶體管低導通電壓和高導通電流的優(yōu) ...

  • 21
    2018-12

    IGBT的作用及應用!

    IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件,其 ...

  • 31
    2018-10

    英飛凌TRENCHSTOP應用優(yōu)勢

    IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件,其 ...

  • 31
    2018-10

    IGBT的主要應用領(lǐng)域

    IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件,其 ...

  • 26
    2018-10

    數字化大功率IGBT驅動(dòng)保護電路如何實(shí)現?

     IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半 ...

  • 25
    2018-10

    電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅動(dòng)電源設計研究

    IGBTIGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件,其 ...

  • 22
    2018-10

    英飛凌EiceDRIVER?驅動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET

    英飛凌EiceDRIVER?驅動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開(kāi)關(guān)性能,英飛凌提供1200伏的CoolSi ...

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