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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.15 V 

在25 C的連續集電極電流: 105 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 355 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 17 mm  

長(cháng)度: 107.5 mm  

寬度: 45 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

SOx故障輸出的應用

SOx故障輸出端有20mA的驅動(dòng)能力。與主控制器的距離越長(cháng)，SOx線(xiàn)路對EMC越敏感，因為普通控制器輸入的阻抗比較高。

如果未檢測到故障狀況，SOx輸出為高阻抗。因此，很容易有電壓尖峰被感應出來(lái)。

下圖（上圖）中將上拉電阻R4放置在SOx線(xiàn)路末端靠近控制器的一側的方案是不推薦的。下圖中顯示的兩種解決方案（中圖和下圖）可以解決這個(gè)問(wèn)題：

1.將緩沖器按照下圖（中圖）放置在靠近驅動(dòng)器SOx端子的位置。建議使用R4>1k?的上拉電阻上拉至VCC。如果發(fā)生故障，相應的SOx輸出將被拉到GND。

建議將該電阻放置得盡可能靠近驅動(dòng)器。圖中100?電阻可保護緩沖器免受電磁干擾。下拉電阻R5可保護控制器輸入免受電壓尖峰影響。

2.在下圖（下圖）中，由10?電阻和肖特基二極管構成的保護網(wǎng)絡(luò )可保護驅動(dòng)器的SOx輸出。

IGBT4代芯片技術(shù)-小結

1.基于溝槽柵+場(chǎng)終止結構，1200V和1700V。

2.1200V三種類(lèi)型：小功率T4、中功率E4、大功率P4。

3.1700V兩種類(lèi)型：中功率E4、大功率P4。

4.P4實(shí)現軟關(guān)斷特性的明顯提升，關(guān)斷時(shí)電壓尖峰小，無(wú)振蕩。

5.T4和E4提高關(guān)斷速度，開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)輸出能力優(yōu)于T3和E3。

6.配用反向恢復特性更“軟”的EmCon4續流二極管。

7.飽和電壓正溫度系數，10μs短路承受時(shí)間不變。