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此款電源管理模塊 FZ1500R33HE3IGBT 的轉移特性是

指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線(xiàn)。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開(kāi)啟電 壓 Ugs(th) 時(shí)， IGBT 處于關(guān)斷狀 態(tài)。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線(xiàn)性關(guān)系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導通態(tài)時(shí)，由于 它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但 流過(guò) MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態(tài)電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流過(guò) MOSFET 的電流。由于 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。 IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動(dòng)態(tài)特性 IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來(lái)運行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成，IGBT 在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?MOSFET 關(guān)斷后， PNP 晶體 管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長(cháng)的尾部時(shí)間， td(off) 為關(guān)斷延遲時(shí)間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時(shí)間。實(shí)際應用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間 Tf 由圖 2 － 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間