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基本參數

制造商:                              Infineon 

產(chǎn)品種類(lèi):                             IGBT 模塊 

產(chǎn)品:                                IGBT Silicon Modules 

配置:                                Quad 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO:                  1200 V 

在25C的連續集電極電流    :                 570 A 

封裝箱體:                             IHM130 

最小工作溫度:                          - 40 C 

最大工作溫度:                           + 125 C 

高度:                                38 mm  

長(cháng)度:                                140 mm  

寬度:                                130 mm  

商標:                                Infineon Technologies  

安裝風(fēng)格:                              SMD/SMT  

柵極/發(fā)射極最大電壓:                       +/- 20 V  

產(chǎn)品類(lèi)型:                              IGBT Modules  

包裝數量:                              2只  

主動(dòng)關(guān)閉（Active shut down）實(shí)際應用的時(shí)候在功率器件的門(mén)極通過(guò)一個(gè)電阻接地下拉。此電阻一般選值 10K~20K，其作用是： 防止在驅動(dòng)本身失電的情況下門(mén)極會(huì )上跳，會(huì )導致功率器件誤導通。這個(gè)電阻值一定要用，所以 我們就集成到驅動(dòng) IC 的內部。此功能的電流吸收能力（見(jiàn)圖標），相對于傳統的方案，會(huì )更加優(yōu) 化。 （/MF 后綴的芯片，采用單腳實(shí)現了兩種功能，一種是有源米勒鉗位，還有一種是短路電流鉗位 功能。）