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基本參數

制造商:                           Infineon 

產(chǎn)品種類(lèi):                         IGBT 模塊 

配置:                            Hex 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO:              1200 V 

集電極射極飽和電壓:                   2.15 V 

在25 C的連續集電極電流:                 600 A 

柵極—射極漏泄電流:                    400 nA 

Pd-功率耗散:                         2.1 kW 

最小工作溫度:                         - 40 C 

最大工作溫度:                         + 125 C 

封裝:                              Tray 

高度:                              17 mm  

長(cháng)度:                              162 mm  

寬度:                              150 mm  

安裝風(fēng)格:                           Screw Mount  

柵極發(fā)射極最大電壓:                    +/- 20 V  

工廠(chǎng)包裝數量:                        4 只 

有源米勒鉗位當下橋臂開(kāi)通的時(shí)候，A 點(diǎn)會(huì )被拉到地，在很短的時(shí)間內，上橋臂器件上會(huì )產(chǎn)生一個(gè)很大的 dV/dt. 上橋臂器件本身通過(guò)米勒電容 Cgc 會(huì )產(chǎn)生一個(gè) Vgc 電流，導致基極電壓升高，當 Vgate 電壓高到 一定值時(shí)，上橋臂會(huì )再次導通，這樣就會(huì )出現一個(gè)穿透，導致短路。很常見(jiàn)的做法是關(guān)斷的時(shí)候 用負壓，一般采用-15V，就算 Vg 電壓高到幾伏都不會(huì )有影響。所以很多驅動(dòng) IC 都需要雙電源供 電。在設計的時(shí)候同時(shí)需要設置好死區時(shí)間。 而針對英飛凌這款單電源供電產(chǎn)品是怎么處理的呢？就采用了有源鉗位，在器件內部會(huì )檢測外部 的電壓，一旦高于 2V，就會(huì )通過(guò)一個(gè)邏輯把下面專(zhuān)用的一個(gè)鉗位 MOSFET（B）開(kāi)通，這顆 MOSFET 的能力和其他正常關(guān)斷的 MOSFET 能力一樣，因為 MOSFET 的面積和器件本身空間的限制，所以 具有油源鉗位功能的驅動(dòng)器件目前最大驅動(dòng)電流只能做到 3A。當上下橋臂導通的時(shí)候，門(mén)極電壓也會(huì )慢慢抬高，而當門(mén)極電壓變 得越來(lái)越高的時(shí)候，流過(guò)功率器件的電流將會(huì )越來(lái)越大，功率器件將會(huì )升溫更加厲害，最后導致 炸管。 所以在實(shí)際應用中就需要把門(mén)極電壓拉住。最傳統的做法是通過(guò)一個(gè)二極管 Dc1 接到供電電壓， 鉗位到供電電壓。而英飛凌的產(chǎn)品則是把二極管實(shí)現的功能集成到驅動(dòng)器件內部了。這樣的目的 是集成度更高，降低了客戶(hù)設計難度，同時(shí)保證了更高的可靠性。