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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.15 V 

在25 C的連續集電極電流: 200 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 700 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 17 mm  

長(cháng)度: 122 mm  

寬度: 62 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

輸入信號INA和INB的窄脈沖抑制

SCALE-2驅動(dòng)器的信號傳輸延遲極短，通常小于90ns。其中包括35ns的窄脈沖抑制時(shí)間。

這樣可以避免可能存在的EMI問(wèn)題導致的門(mén)極誤觸發(fā)。下圖舉例說(shuō)明了在SCALE-2內部窄抑制時(shí)間不夠長(cháng)的情況下如何增大最小脈沖抑制時(shí)間。

下圖顯示不建議直接將RC網(wǎng)絡(luò )應用于INA或INB，因為傳輸延遲的抖動(dòng)會(huì )顯著(zhù)升高。建議使用施密特觸發(fā)器以避免這種缺點(diǎn)。

請注意，如果同時(shí)使用直接并聯(lián)與最小脈沖抑制，建議在施密特觸發(fā)器后將驅動(dòng)器的輸入INA/INB并聯(lián)起來(lái)。

建議在直接并聯(lián)應用中不要為每個(gè)驅動(dòng)核單獨使用施密特觸發(fā)器，因為施密特觸發(fā)器的延遲時(shí)間的誤差可能會(huì )較高，導致IGBT換流時(shí)動(dòng)態(tài)均流不理想。

R1/C1與15V供電的施密特觸發(fā)器CD40106的組合可實(shí)現最小脈沖抑制。

例如，如果開(kāi)通電平為10V，關(guān)斷電平為5V，則施密特觸發(fā)器輸入回差為5V。

如果INx以15V邏輯電平開(kāi)通，電容C1將通過(guò)R1充電，當C1兩側的電壓達到10V時(shí)，施密特觸發(fā)器將會(huì )翻轉。

如果Inx下降（關(guān)斷指令），且電容C1兩側的電壓低于5V時(shí)，施密特觸發(fā)器將會(huì )翻轉。在示例中，我們使用了兩個(gè)施密特觸發(fā)器非門(mén)，因此輸入信號不需要取反。

副邊穩壓電路的介紹

驅動(dòng)器原方的供電為+15V，經(jīng)過(guò)DC/DC處理后得到+25V，這個(gè)電壓是開(kāi)環(huán)的，這意味著(zhù)，如果原方+15V波動(dòng)，這個(gè)+25V也會(huì )波動(dòng)。

SCALE-2副邊的ASIC將+25V分割成+15V及-10V，其中+15V是被穩壓的，這是一個(gè)閉環(huán)電路，如果Viso與VE之間的電壓不是+15V，則內部電流會(huì )調整使得輸出電壓穩定在+15V；而-10V則是開(kāi)環(huán)的，是不穩壓的。

VE管腳是芯片“造”出來(lái)的，內部是靠電流源來(lái)控制輸出的電壓源。Viso是+15V，VE是0V，COM是-10V。這種穩壓的方法與常見(jiàn)的用穩壓二極管或者三端穩壓電壓電路是完全不同的。