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  • 27
    2018-09

    碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢?

    碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢?通過(guò)SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里?》,我們了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么,使用SiC材料做成 ...

  • 26
    2018-09

    基于.XT技術(shù)進(jìn)行IGBT組件設計有哪些需要考慮的方面?

    基于.XT技術(shù)進(jìn)行IGBT組件設計有哪些需要考慮的方面?隨著(zhù)變流器廣泛應用于風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)和軌道牽引等領(lǐng)域中,目前越來(lái)越多的變流器研究著(zhù)眼 ...

  • 26
    2018-09

    用于HEV/EV輔助系統的小功率模塊

    用于HEV/EV輔助系統的小功率模塊針對 HEV/EV輔助系統,英飛凌推出了 easy module系列汽車(chē)級 IGBT功率模塊,不僅可以有效較低系統 ...

  • 26
    2018-09

    英飛凌首款頂部冷卻DDPAK封裝解密

    英飛凌首款頂部冷卻DDPAK封裝解密基于SMD的SMPS設計能夠支持快速開(kāi)關(guān),并有助于減少與普通TO-220封裝等長(cháng)引線(xiàn)封裝相關(guān)的寄生電感,這帶來(lái)了很 ...

  • 25
    2018-09

    如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動(dòng)芯片?

    如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動(dòng)芯片?近年來(lái),基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實(shí)際工程應用,受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統的 ...

  • 22
    2018-09

    測量IGBT開(kāi)關(guān)特性對電流探頭有哪些要求?

    測量IGBT開(kāi)關(guān)特性對電流探頭有哪些要求?市面上適用于電力電子領(lǐng)域測量的電流探頭有許多,根據實(shí)際需求選擇合適的對波形的測量非常重要?,F代的IGBT器件 ...

  • 22
    2018-09

    PT,NPT,FS型IGBT有哪些區別?

    PT,NPT,FS型IGBT有哪些區別?IGBT的結構多種多樣,但從縱向結構來(lái)看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類(lèi)IGBT的劃分依據為:臨界擊穿電壓下P ...

  • 22
    2018-09

    018 IGBT 功率模塊常見(jiàn)的失效模式有哪些?

    018 IGBT 功率模塊常見(jiàn)的失效模式有哪些?IGBT屬于復合器件,有MOS器件高速開(kāi)關(guān)和低電壓驅動(dòng)特點(diǎn), 可以承受高電壓和大電流,并且關(guān)斷延遲時(shí)間 ...

  • 20
    2018-09

    IGBT驅動(dòng)電路的一些作用

    你對IGBT了解多少?本文在分析了IGBT驅動(dòng)條件后,講解了一些常見(jiàn)的IGBT驅動(dòng)電路并指出各自?xún)?yōu)缺點(diǎn)。歸于經(jīng)驗總結筆者自行設計了一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型 ...

  • 20
    2018-09

    IGBT的未來(lái)市場(chǎng)預測與技術(shù)路線(xiàn)

    IGBT的未來(lái)市場(chǎng)預測與技術(shù)路線(xiàn)在未來(lái)幾年,IGBT市場(chǎng)具有很好的投資價(jià)值。我們預計到2022年,全球IGBT市場(chǎng)總量將超過(guò)50億美金,其主要增長(cháng)將來(lái) ...

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