你對IGBT了解多少？本文在分析了IGBT驅動(dòng)條件后，講解了一些常見(jiàn)的IGBT驅動(dòng)電路并指出各自?xún)?yōu)缺點(diǎn)。歸于經(jīng)驗總結筆者自行設計了一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型IGBT驅動(dòng)電路，供大家借鑒學(xué)習。經(jīng)過(guò)驗證，該電路具有經(jīng)濟、實(shí)用、安全、可靠等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，IGBT過(guò)電流保護的功能也能很好的體現，是有著(zhù)光明應用前景的電路之一。

　　1 引言

　　絕緣門(mén)極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT。也稱(chēng)絕緣門(mén)極晶體管。由于IGBT內具有寄生晶閘管，所以也可稱(chēng)作為絕緣門(mén)極晶閘管，它是八十年代中期發(fā)展起來(lái)的一種新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又有通態(tài)電壓低耐壓高的優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)展很快，倍受歡迎，在電機驅動(dòng)、中頻和開(kāi)關(guān)電源以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域，IGBT有取代MOSFET和GTR的趨勢。但在IGBT實(shí)際應用中一個(gè)要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是其柵極驅動(dòng)電路設計的合理與否，在此我們自行設計了一種簡(jiǎn)單而實(shí)用的驅動(dòng)電路，并取得了很好的效果。

　　2 IGBT的驅動(dòng)條件

　　IGBT的驅動(dòng)條件與它的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數都有不同程度的影響。門(mén)極驅動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系如表1所示。

　　表1 門(mén)極驅動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系

　　1、正偏壓+VGE的影響

　　當VGS增加時(shí)，通態(tài)電壓下降，IGBT的開(kāi)通能量損耗下降，但是VGE 不能隨意增加，因為VGE 增加到一定程度之后對IGBT的負載短路能力及dVCE/dt電流有不利影響。

　　2、負偏壓-VGE的影響

　　負偏壓也是很重要的門(mén)極驅動(dòng)條件，它直接影響IGBT的可靠運行。雖然-VGE對關(guān)斷能耗沒(méi)有顯著(zhù)影響，擔負偏壓的增高會(huì )使漏極浪涌電流明顯下降，從而避免過(guò)大的漏極浪涌電流使IGBT發(fā)生不可控的擎住現象。

　　3、門(mén)極電阻RG的影響

　　門(mén)極電阻增加，使IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷能耗均增加，門(mén)極電阻減小又使di/dt增大，可能引發(fā)IGBT誤導通，同時(shí)RG上的能耗也有所增加。所以通常RG一般取十幾歐到幾百歐之間。

　　因此，為了使IGBT能夠安全可靠得到通和關(guān)斷，其驅動(dòng)電路必須滿(mǎn)足一下條件：

　　由于是容性輸入阻抗，IGBT對門(mén)極電荷集聚很敏感，因此要保證有一條低阻抗值得放電回路。

　　門(mén)極電路中的正偏壓應為+12—15V，負偏壓-2—-10V。

　　驅動(dòng)電路應與整個(gè)控制電路在電位上嚴格隔離。

　　門(mén)極驅動(dòng)電路應盡可能簡(jiǎn)單實(shí)用，具有對IGBT的自保護功能，并有較強的抗干擾能力。

　　3 常見(jiàn)的IGBT驅動(dòng)電路

　　1、采用脈沖變壓器隔離驅動(dòng)IGBT

　　電路如圖1所示，這種電路結構簡(jiǎn)單，應用了廉價(jià)的脈沖變壓器實(shí)現IGBT主電路與控制電路的隔離。其性能的好壞取決于脈沖變壓器的制作，應盡量減小脈沖變壓器的漏感抗，并采用高鐵氧體鐵心，最高工作頻率可達40KHz。

　　2、采用光耦合器及CMOS驅動(dòng)IGBT

　　電路圖如圖2所示，該電路自身帶過(guò)流保護功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅動(dòng)電路隔離，4011的四個(gè)與非門(mén)并聯(lián)工作提高了驅動(dòng)能力，互補晶體管V1、V2降低驅動(dòng)電路阻抗，通過(guò)R1、C1與R2、C2獲得不同的正、反向驅動(dòng)電壓，以滿(mǎn)足各種IGBT對柵極驅動(dòng)電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時(shí)受4011型CMOS電路最高工作電壓的限制，使+VGE和-VGE的幅值相互牽制，并受到限制。

　　3、用專(zhuān)用混合集成驅動(dòng)電路

　　目前，國外很多生產(chǎn)IGBT器件的公司，為了解決IGBT驅動(dòng)的可靠性問(wèn)題，紛紛推出IGBT專(zhuān)用驅動(dòng)電路，如美國MOTOROLA公司的MPD系列、日本東芝公司的KT系列、日本富士公司的EXB系列等。這些驅動(dòng)電路抗干擾能力強，集成化程度高，速度快，保護功能完善，可實(shí)現IGBT的最優(yōu)驅動(dòng)，但一般價(jià)格比較昂貴，對于普通用戶(hù)很難接受。

　　4 新型實(shí)用驅動(dòng)電路

　　該電路具有以下特點(diǎn)：

　　該電路能夠產(chǎn)生+15V和-5V電壓，保證了IGBT的可靠導通與關(guān)斷。

　　該電路采用高速光耦實(shí)現了控制電路與主電路的隔離。

　　該電路具有IGBT過(guò)電流保護功能，能夠有效的保護IGBT。

　　該電路采用推挽式輸出方式，從而降低了驅動(dòng)電路的輸出阻抗。

　　適用于多種型號IGBT的可靠驅動(dòng)。

　　電路圖如圖3所示，采用由高速光耦H11L1、NPN和PNP型三極管組成推挽式輸出電路。變壓器副邊輸出交流18V電壓，經(jīng)整流橋變成直流，470uF/50V的電容濾波，作為IGBT驅動(dòng)電路的工作電壓。當IGBT的電流小于設定過(guò)電流信號的時(shí)候，比較器負輸入端電壓小于正輸入端設定的電壓值，此時(shí)比較器輸出高電平。當IGBT的電流大于設定過(guò)電流信號的時(shí)候，比較器負輸入端電壓大于正輸入端設定的電壓值，此時(shí)比較器輸出低電平。當比較器輸出信號與控制信號相與后送到高速光耦合器。正常情況下比較器輸出高電平，當控制信號位高電平時(shí)，與門(mén)輸出高電平使光耦合器導通，晶體管N1基極沒(méi)有電流而關(guān)斷，此時(shí)電流可經(jīng)R3、N2的基射極、R6、Z3、Z4、Z2形成三極管N2的基極電流，N2開(kāi)通，由于Z2是15V穩壓管，輸出電壓嵌位在+15V，驅動(dòng)IGBT導通;反之，黨控制脈沖信號為低電平時(shí)，與門(mén)輸出低電平使光耦合器截止，三極管N1存在極基電流而導通，N1的集電極電壓變低，N2截止，電流經(jīng)R4、Z4、R6、P1、N1形成P1 管的極基電流，P1導通，輸出電壓鉗位在-5V，使IGBT關(guān)斷。當IGBT處于過(guò)電流狀態(tài)時(shí)，比較器輸出低電平，此時(shí)無(wú)論控制信號位高電平還是低電平，與門(mén)始終輸出低電平，由以上可知此時(shí)驅動(dòng)電路一直輸出-5V 電壓而使IGBT一直處于關(guān)斷狀態(tài)，從而對IGBT的過(guò)電流進(jìn)行了有效的保護。

　　5 總結

　　這款新型的IGBT驅動(dòng)電路既簡(jiǎn)單又實(shí)用，經(jīng)長(cháng)期實(shí)踐證明，使用時(shí)不用再有后顧之憂(yōu)，對于諸多優(yōu)勢在文中也有詳細介紹。再有，該電路適用于各種型號的IGBT，為普通IGBT用戶(hù)節省大量資金，更是電源工程師的不二之選。（英飛凌igbt廠(chǎng)家）