英飛凌EiceDRIVER?驅動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET

碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開(kāi)關(guān)性能，英飛凌提供1200伏的CoolSiC? 碳化硅(SiC) MOSFET以供客戶(hù)選擇。

英飛凌的隔離型門(mén)極驅動(dòng)，基于無(wú)鐵芯變壓器技術(shù)，以其強大的驅動(dòng)能力和保護功能而著(zhù)稱(chēng)，可以輕松地驅動(dòng)1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET，并提供可靠的電氣隔離。想要了解更多英飛凌隔離型門(mén)極驅動(dòng)的信息，請參考英飛凌門(mén)極驅動(dòng)選型指南。

以下這些驅動(dòng)芯片擁有許多驅動(dòng)碳化硅(SiC) MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)勢，極短的傳輸延遲，精準的通道間匹配和輸入濾波，超寬的輸出范圍和負電壓驅動(dòng)能力，以及極佳的共模瞬變抗擾度（CMTI）。

產(chǎn)品特性

• 提供3.8 mm的DSO-8窄體封裝，及7.6 mm爬電距離的DSO寬體封裝

• 能夠在高溫環(huán)境下工作

• 提供有源米勒鉗位功能

• 提供短路電流鉗位與有源安全關(guān)斷

• 共模瞬變抗擾度（CMTI）高于100 kV/μs

• 精準的退飽和保護功能（DESAT）

• 欠壓鎖定額定閾值為 12 V/11 V

   

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