IGBT屬于復合器件，有MOS器件高速開(kāi)關(guān)和低電壓驅動(dòng)特點(diǎn)， 可以承受高電壓和大電流，并且關(guān)斷延遲時(shí)間短，在工業(yè)控制領(lǐng)域有廣泛的應用，比如高頻焊接，逆變器，交流電動(dòng)機調速， 變頻器，電動(dòng)汽車(chē)， UPS，智能家電等。但IGBT 容易損壞，在應用時(shí)要注意保護。
IGBT的失效模式
判斷IGBT的失效模式一般是根據失效特征，結合器件的結構，模擬結果等進(jìn)行判斷。
1. 過(guò)電應力（過(guò)壓/過(guò)流）
IGBT運行超出安全工作區，異物引起短路，地線(xiàn)及電源系統產(chǎn)生的電浪涌，烙鐵漏電，儀器或測試臺接地不當產(chǎn)生感應電浪涌等，都可以引起電過(guò)載失效。
對于靜電損傷，不僅有PN結劣化擊穿，表面擊穿等高電壓小電流型失效模式，也有金屬化，多晶硅燒毀等大電流模式。
Gate –emitter過(guò)壓
典型特征：芯片表面出現比較淺的熔化區域，或者在柵極的pad附近出現較小的熔化區域，這種過(guò)壓的原因很可能是ESD損傷，如果熔化燒毀的區域較大，則不是ESD的典型特征。
Collector –emitter過(guò)壓
典型特征：在保護環(huán)（guard ring）與IGBT單元之間出現點(diǎn)狀熔化區域，或者是在保護環(huán)上出現熔化區域。
超出反偏安全工作區（RBSOA）
典型特征：在芯片表面的IGBT單元上出現一個(gè)較深的，由于熔化而產(chǎn)生的洞，一般是由于關(guān)斷電流過(guò)大，或者IGBT在較高的結溫下工作而擊穿。
反向恢復二極管(FWD) 超出SOA
典型特征：二極管的陽(yáng)極區域出現由于熔化產(chǎn)生的洞。
2. 過(guò)熱損傷：
超出IGBT 承受范圍的溫度，導致焊料，芯片表面保護層，以及鋁層熔化。
典型特征：IGBT上出現較多的分離的，大面積的鋁層熔化，芯片下方的焊料有熔融再
流的痕跡， 如球狀焊珠。
3. 機械損傷：
振動(dòng)失效：
典型特征：焊線(xiàn)斷裂，并伴有焊線(xiàn)熔斷。
安裝損傷：
典型特征：基板上有機械損傷痕跡，陶瓷基片上出現裂紋。
4. 器件本身缺陷：
絕緣失效：
典型特征：在硅膠覆蓋的銅基材之間出現跳火痕跡，有可能是由于硫的引入生成硫化銅，通過(guò)生長(cháng)使得相鄰的銅材之間短路，降低耐壓，最終產(chǎn)生跳火現象。原因可能是器件生產(chǎn)過(guò)程中的污染引起。
5. 器件老化：
典型特征：鋁線(xiàn)脫落，焊接區域出現分層，一般是由于器件達到了設計使用壽命極限。
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