英飛凌igbt銷(xiāo)售
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2018-09
IGBT模塊的損耗
IGBT模塊的損耗
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2018-09
IGBT開(kāi)關(guān)特性與門(mén)極電阻的關(guān)系
IGBT開(kāi)關(guān)特性與門(mén)極電阻的關(guān)系 外部門(mén)極電阻RG會(huì )影響IGBT的開(kāi) ...
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2018-09
如何選擇IGBT的門(mén)極驅動(dòng)電阻？
如何選擇IGBT的門(mén)極驅動(dòng)電阻？IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對門(mén)極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的，實(shí)際應用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開(kāi)通，再由-5V ...
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2018-09
中國IGBT和國外有多大差距？
近年媒體的大陸報道，讓我們知道中國集成電路離世界先進(jìn)水平還很遠。但在這里我先說(shuō)一個(gè)很少被報道的產(chǎn)業(yè)，中國也幾乎都依賴(lài)進(jìn)口，那就是IGBT等功率元器件。 ...
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2018-09
IGBT的結構與工作原理
IGBT的結構與工作原理IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和 ...
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2018-09
IGBT的結構原理與特性圖解
IGBT的結構原理與特性圖解在IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應管MOSFET被用于需要快速開(kāi)關(guān)的中低壓場(chǎng)合，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOS ...
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2018-09
IGBT功率模塊的特點(diǎn)，IGBT模塊有什么特點(diǎn)？
igbt模塊簡(jiǎn)介：igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與 ...
深圳逸盛通科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理英飛凌IGBT
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