如何選擇IGBT的門(mén)極驅動(dòng)電阻？

IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對門(mén)極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的，實(shí)際應用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開(kāi)通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進(jìn)行關(guān)斷。門(mén)極電容的充放電速度可以通過(guò)控制門(mén)極電阻來(lái)實(shí)現，所以我們可以通過(guò)門(mén)極電阻來(lái)調整IGBT開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性，如圖1所示。

圖1  IGBT門(mén)極控制示意圖

       門(mén)極電阻可以影響IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、反偏安全工作區（RBSOA）、短路安全工作區（SCSOA）、EMI、dv/dt、di/dt和續流二極管的反向恢復電流等。所以需要根據不同的應用條件謹慎地選擇最優(yōu)門(mén)極電阻，比如不同的IGBT芯片特性、二極管特性、開(kāi)關(guān)頻率、損耗要求、系統雜散電感、直流母線(xiàn)電壓和驅動(dòng)能力等，一個(gè)完整的IGBT門(mén)極電阻選型需要綜合考慮以上各種因素。（英飛凌igbt廠(chǎng)家）