國內IGBT與國外的差距

先說(shuō)一下IGBT的全球發(fā)展狀態(tài)，從市場(chǎng)競爭格局來(lái)看，美國功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠(chǎng)商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠(chǎng)商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠(chǎng)，產(chǎn)品線(xiàn)齊全，無(wú)論是功率 IC 還是功率分離器件都具有領(lǐng)先實(shí)力。

日本功率器件廠(chǎng)商主要有 Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric 等等。日本廠(chǎng)商在分立功率器件方面做的較好，但在功率芯片方面，雖然廠(chǎng)商數量眾多，但很多廠(chǎng)商的核心業(yè)務(wù)并非功率芯片，

從整體市場(chǎng)份額來(lái)看，日本廠(chǎng)商落后于美國廠(chǎng)商。近年來(lái)，中國臺灣的功率芯片市場(chǎng)發(fā)展較快，擁有立锜、富鼎先進(jìn)、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠(chǎng)商。臺灣廠(chǎng)商主要偏重于 DC/DC 領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括線(xiàn)性穩壓器、PWMIC(Pulse Width Modulation IC，脈寬調制集成電路)和功率MOSFET，從事前兩種 IC 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的公司居多。

總體來(lái)看，臺灣功率廠(chǎng)商的發(fā)展較快，技術(shù)方面和國際領(lǐng)先廠(chǎng)商的差距進(jìn)一步縮小，產(chǎn)品主要應用于計算機主板、顯卡、數碼產(chǎn)品和 LCD 等設備

而中國大陸功率半導體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴(lài)進(jìn)口，基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。

2015年國際IGBT市場(chǎng)規模約為48億美元，預計到2020年市場(chǎng)規?？梢赃_到80億美元，年復合增長(cháng)率約10%。

2014年國內IGBT銷(xiāo)售額是88.7億元，約占全球市場(chǎng)的1∕3。預計2020年中國IGBT市場(chǎng)規模將超200億元，年復合增長(cháng)率約為15%。

現在，國外企業(yè)如英飛凌、 ABB、三菱等廠(chǎng)商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列，按照細分的不同，各大公司有以下特點(diǎn)：

（1）英飛凌、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占絕對優(yōu)勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。 在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國際領(lǐng)先水平；

（2）西門(mén)康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢地位。

國際市場(chǎng)供應鏈已基本成熟，但隨著(zhù)新能源等市場(chǎng)需求增長(cháng)，市場(chǎng)鏈條正逐步演化。

而在國內，盡管我國擁有最大的功率半導體市場(chǎng)，但是目前國內功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。核心技術(shù)均掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導致了較高的市場(chǎng)集中度。 跟國內廠(chǎng)商相比，英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠(chǎng)商占有絕對的市場(chǎng)優(yōu)勢。形成這種局面的原因主要是：

（1）國際廠(chǎng)商起步早，研發(fā)投入大，形成了較高的專(zhuān)利壁壘。

（2）國外高端制造業(yè)水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠(chǎng)商的技術(shù)優(yōu)勢。

所以中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強于芯片的現狀。

而技術(shù)差距從以下兩個(gè)方面也有體現：

（1）高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規格在6500V以上，技術(shù)壁壘較強；

（2）IGBT芯片設計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)仍掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中。

我國發(fā)展IGBT面對的具體問(wèn)題

雖然用量和可控要求我們發(fā)展IGBT，我們也做了很多努力，但當中還是有些問(wèn)題需要重點(diǎn)考慮的：

（1）IGBT技術(shù)與工藝

我國的功率半導體技術(shù)包括芯片設計、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導體芯片技術(shù)研究一般采取“設計+代工”模式，即由設計公司提出芯片設計方案，由國內的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。

由于這些集成電路公司大多沒(méi)有獨立的功率器件生產(chǎn)線(xiàn)，只能利用現有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設備，這些都是我國功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中急需解決的問(wèn)題。

從80年代初到現在IGBT芯片體內結構設計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類(lèi)型，在改善IGBT的開(kāi)關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設計在工藝上實(shí)現卻有相當大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內的做的都不是很好。

薄片工藝，特定耐壓指標的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現在國內可以將晶圓減薄到175um，再低就沒(méi)有能力了。比如在100~200um的量級，當硅片磨薄到如此地步后，后續的加工處理就比較困難了，特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。

背面工藝，包括了背面離子注入，退火激活，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過(guò)450°C)，退火激活這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡(jiǎn)單。國外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶(hù)簽訂協(xié)議，就不再給中國客戶(hù)代提供加工服務(wù)。

在模塊封裝技術(shù)方面，國內基本掌握了傳統的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠(chǎng)家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車(chē)與北車(chē)兩家公司。與國外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國外公司基于傳統封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長(cháng)期可靠性，并初步實(shí)現了商業(yè)應用。

高端工藝開(kāi)發(fā)人員非常缺乏，現有研發(fā)人員的設計水平有待提高。目前國內沒(méi)有系統掌握IGBT制造工藝的人才。從國外先進(jìn)功率器件公司引進(jìn)是捷徑。但單單引進(jìn)一個(gè)人很難掌握IGBT制造的全流程，而要引進(jìn)一個(gè)團隊難度太大。國外IGBT制造中許多技術(shù)是有專(zhuān)利保護。目前如果要從國外購買(mǎi)IGBT設計和制造技術(shù)，還牽涉到好多專(zhuān)利方面的東西。

（2）IGBT工藝生產(chǎn)設備

國內IGBT工藝設備購買(mǎi)、配套十分困難。每道制作工藝都有專(zhuān)用設備配套。其中有的國內沒(méi)有，或技術(shù)水平達不到。如：德國的真空焊接機，能把芯片焊接空洞率控制在低于1%，而國產(chǎn)設備空洞率高達20%到50%。外國設備未必會(huì )賣(mài)給中國，例如薄片加工設備。

又如：日本產(chǎn)的表面噴砂設備，日本政府不準出口。好的進(jìn)口設備價(jià)格十分昂貴，便宜設備又不適用。例如：自動(dòng)化測試設備是必不可少的，但價(jià)貴。如用手工測試代替，就會(huì )增加人為因素，測試數據誤差大。IGBT生產(chǎn)過(guò)程對環(huán)境要求十分苛刻。要求高標準的空氣凈化系統，世界一流的高純水處理系統。

要成功設計、制造IGBT必須有集產(chǎn)品設計、芯片制造、封裝測試、可靠性試驗、系統應用等成套技術(shù)的研究、開(kāi)發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動(dòng)化、專(zhuān)業(yè)化和規?；潭阮I(lǐng)先的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。投資額往往需高達數十億元人民幣。

而為了推動(dòng)國內功率半導體的發(fā)展，針對我國當前功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況以及2016-2020年電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)，中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )、北京電力電子學(xué)會(huì )共同發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書(shū)》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《藍皮書(shū)》）。

《藍皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)的核心是電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設備、檢測設備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)。大家對中國IGBT的未來(lái)發(fā)展有什么期望？（英飛凌igbt廠(chǎng)家）