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電磁爐IGBT損壞八大原因

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深圳逸盛通科技有限公司

時(shí)間 : 2018-11-01 20:33 瀏覽量 : 127

IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

igbt


電磁爐IGBT損壞八大原因


在電磁爐中,IGBT是一個(gè)損壞占有率很大,在沒(méi)有查明故障原因的 時(shí)候就試機,回引起IGBT在次損壞在電磁爐的維修中,經(jīng)過(guò)不端的終結,歸納出電磁爐的八大原因。


image.


原因1、0.3UF電容失效,或漏電, 和400V電容 容量變小的時(shí)候,將導致電磁爐,LC震蕩電路頻率偏高 

從而引起IGBT損壞。經(jīng)檢查其他元件無(wú)問(wèn)題的時(shí)候 ,更換0.3UF 和400V電容。 


原因2、IGBT管激勵電路異常, 

震蕩電路輸出的脈沖信號,不能直接控制IGBT 飽和,導通 和截止,必須通過(guò)激勵脈沖信號放大來(lái)完成。如果激勵信號出現問(wèn)題,高電壓就回加到IGBT管的G級,導致IGBT瞬間擊穿,損壞,常見(jiàn)的有驅動(dòng)管S8050和S8550。


原因3、同步電路異常,同步電路在電磁爐中的主要作用是保證加到IGBT管G級上的開(kāi)關(guān)脈沖前言與IGBT管上VCE脈沖后延同步當同步電路工作出現異樣,導致IGBT管瞬間擊穿。 


原因4、18V工作電壓異常,在電磁爐中18V電壓出現時(shí),會(huì )使IGBT管激勵電路,風(fēng)扇散熱系統及LM339工作失常導致IGBT上電瞬間損壞。


原因5、散熱系統異常。電磁爐工作在大電流狀態(tài)下,其發(fā)熱量也大,如果散熱系統出現異常,會(huì )導致IGBT過(guò)熱損壞。 


原因6、單片機異常。單片機內部會(huì )因為工作頻率異常而燒毀IGBT。 


原因7、VCE檢測電路異常。VCE檢測電磁爐將IGBT官集電極上的脈沖電壓通過(guò),電阻分壓,取樣獲得去=取樣電壓,此電壓的信息變化傳到CPU,CPU監測電壓的變化,做出各種相應的指令,當VCE檢測電路出現故障的時(shí)候,VEC脈沖幅度。超過(guò)IGBT管的極限值,從而導致IGBT損壞。用戶(hù)鍋具變形,或鍋低凸起不平,在鍋低產(chǎn)生的渦流,不能均勻的使變形的鍋具加熱,從而使鍋具溫度傳感器,檢溫失常,CPU因檢測不到,異常溫度信號,而繼續加熱,導致IGBT損壞。


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