IGBT
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）絕緣柵雙極晶體管是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應晶體管）組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件，其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流大; MOSFET驅動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通電壓降大，且載流密度小。 IGBT結合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉換器系統，如交流電機、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅動(dòng)和其他領(lǐng)域。
IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有大功率晶體管導通電壓低、通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)。它在任何時(shí)刻可關(guān)斷通態(tài)電流，避免了普通晶閘管在一個(gè)半波內只能導通不能關(guān)斷的弱點(diǎn)。在電力電子領(lǐng)域是一個(gè)十分有發(fā)展前途的大功率半導體器件。
IGBT這種新型功率半導體器件又稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管，是功率半導體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機傳動(dòng)、汽車(chē)等強電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。它問(wèn)世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
“薄如蟬翼”的IGBT芯片
IGBT芯片發(fā)展趨勢是：薄片工藝，主要是減少熱阻，減小襯底電阻從而減小通態(tài)損耗[9];小管芯，主要是提高器件的電流密度，15年來(lái)管芯的 面積減少了2/3；大硅片，硅片由5英寸變?yōu)?2英寸，面積增加了5.76倍，折算后每顆芯粒的成本可以大大的降低。
Infineon英飛凌專(zhuān)注于迎接現代社會(huì )的三大科技挑戰: 高能效、 移動(dòng)性和 安全性，為汽車(chē)和工業(yè)功率器件、芯片和安全應用提供半導體和系統解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng )新性著(zhù)稱(chēng)。
英飛凌分別針對小、中、大功率應用而設計的三種IGBT4芯片
英飛凌IGBT4芯片技術(shù)：
?基于溝槽柵+場(chǎng)終止結構，1200V和1700V；
?1200V三種類(lèi)型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
?1700V兩種類(lèi)型：中功率E4、大功率P4；
?P4實(shí)現軟關(guān)斷特性的明顯提升，關(guān)斷時(shí)電壓尖峰小，無(wú)振蕩；
?T4和E4提高關(guān)斷速度，開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)輸出能力優(yōu)于T3和E3；
?配用反向恢復特性更"軟"的EmCon4續流二極管；
?飽和電壓正溫度系數，10 μs短路承受時(shí)間不變。
英飛凌IGBT芯片選型（以下芯片如有需要，請聯(lián)系我司相關(guān)人員）
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