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IGBT芯片互連常用鍵合線(xiàn)材料特性

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深圳逸盛通科技有限公司

時(shí)間 : 2018-11-02 22:23 瀏覽量 : 346

IGBT

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應晶體管)組成的復合完全控制電壓驅動(dòng)功率半導體器件,其具有兩個(gè)MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和電壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流大; MOSFET驅動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通電壓降大,且載流密度小。 IGBT結合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn),具有低驅動(dòng)功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉換器系統,如交流電機、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅動(dòng)和其他領(lǐng)域。

igbt


IGBT芯片互連常用鍵合線(xiàn)材料特性


 IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過(guò)鍵合線(xiàn)使芯片間構成互連,形成回路。引線(xiàn)鍵合是IGBT功率器件內部實(shí)現電氣互連的主要方式之一。隨著(zhù)制造工藝的快速發(fā)展,許多金屬鍵合線(xiàn)被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前,常用的鍵合線(xiàn)有鋁線(xiàn)、金線(xiàn)、、銀線(xiàn)、銅線(xiàn)、鋁帶、銅片和鋁包銅線(xiàn)等。表1是引線(xiàn)鍵合技術(shù)中常用材料的性能。


表1 引線(xiàn)鍵合工藝中常用鍵合線(xiàn)的材料屬性
引線(xiàn)鍵合工藝中常用鍵合線(xiàn)的材料屬性 

 
  1. 鋁線(xiàn)鍵合


  鋁線(xiàn)鍵合是目前工業(yè)上應用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線(xiàn)鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線(xiàn)根據直徑的不同分為細錫線(xiàn)和粗鋁線(xiàn)兩種,直徑小于100um的鋁線(xiàn)被稱(chēng)為細鋁線(xiàn),直徑大于100um小于500um的鋁線(xiàn)被稱(chēng)為粗鋁線(xiàn)。粗鋁線(xiàn)鍵合實(shí)物如圖1所示。

粗鋁線(xiàn)鍵合實(shí)物圖 
圖1 粗鋁線(xiàn)鍵合實(shí)物圖

 
  粗鋁線(xiàn)的載流能力比細鋁線(xiàn)強,直徑為500um的粗鋁線(xiàn)可承受直流約為23A的電流。鋁的熱膨脹系數為23×10-6K-1,與硅芯片的熱膨脹系數相差較大,在長(cháng)時(shí)間的功率循環(huán)過(guò)程中會(huì )在封裝體內積累熱量,使模塊溫度升高,產(chǎn)生并積累熱應力。很容易使鍵合引線(xiàn)斷裂或鍵合接觸表面脫落,最終導致模塊的整體失效。在通流能力要求較高的情況下,引線(xiàn)的數目過(guò)于龐大,會(huì )造成鍵合接觸表面產(chǎn)生裂紋。
 
  為了提高鍵合引線(xiàn)的載流能力,鋁帶鍵合技術(shù)逐步發(fā)展起來(lái),圖2所示為鋁帶鏈合實(shí)物圖。相比于鋁線(xiàn)鍵合,鋁帶的橫截面積大,可靠性高,不但提高了整體的通流能力,避免由于髙頻工作時(shí)造成的集膚效應,而且還有效地減小了封裝體的厚度。表面積較大,散熱效果也比鋁線(xiàn)要好。鋁帶鍵合由于導電性能好,寄生電感小,在頻率高,電流大的工作情況下應用較為廣泛,其缺點(diǎn)是不能大角度彎曲。

鋁帶鍵合實(shí)物圖 
圖2 鋁帶鍵合實(shí)物圖

 
  2. 銅線(xiàn)鍵合


  由表1可知,銅線(xiàn)比鋁線(xiàn)的電阻率低,導電性能好,熱導率比鋁線(xiàn)高,散熱性能好?,F在功率模塊大多追求小體積、高功率密度和快散熱,銅線(xiàn)鍵合技術(shù)得到了廣泛的應用。圖3所示為銅線(xiàn)鍵合實(shí)物和銅帶鍵合實(shí)物。

銅材料鍵合實(shí)物圖 
圖3 銅材料鍵合實(shí)物圖

 
  銅線(xiàn)的通流能力強,直徑400um的銅線(xiàn)可以承受直流約32.5A的電流,比鋁線(xiàn)的載流能力提高了71%。銅線(xiàn)鍵合技術(shù)的缺點(diǎn)也十分明顯。由于芯片表面多為鋁合金,銅線(xiàn)在鍵合前需要在芯片表面進(jìn)行電銀或者沉積,不但增加了成本,而且增加了在生產(chǎn)過(guò)程中復雜程度。銅材料的熱膨脹系數較大,與芯片不匹配,在功率循環(huán)工作條件下,產(chǎn)生的熱應力累積,容易使鍵合引線(xiàn)脫落或芯片表面產(chǎn)生裂痕。
 


  3. 鋁包銅線(xiàn)鍵合


  綜合考慮鋁線(xiàn)與銅線(xiàn)的優(yōu)缺點(diǎn),研發(fā)人員研制了一種新型鍵合線(xiàn),在銅線(xiàn)外層包裹一層厚度約為25~35um的鋁。鋁包銅線(xiàn)如圖4所示,由于其表面為鋁材料,在鍵合時(shí)不需要事先對芯片表面進(jìn)行化學(xué)電鍍處理,提高了系統的可靠性。鋁包銅線(xiàn)的導電性能和導熱性能均比鋁線(xiàn)要好,增加了鍵合引線(xiàn)的可靠性,提高了IGBT功率模塊的使用壽命。

鋁包銅線(xiàn)鍵合線(xiàn) 
圖4 鋁包銅線(xiàn)鍵合線(xiàn)

 
  4. 金線(xiàn)/銀線(xiàn)鍵合


  金線(xiàn)鍵合技術(shù)主要應用在集成度較高的IC芯片封裝中,金線(xiàn)的熱導率較高,散熱效果好,電阻率比鋁線(xiàn)低,導電性強。金線(xiàn)的膨脹系數為14.2×10-6K-1,為所有常用鍵合金屬材料中最低的,與硅芯片的匹配性較其他鍵合材料要好。但由于其價(jià)格過(guò)于昂貴,限制了其在半導體封裝中的廣泛應用。金線(xiàn)鍵合實(shí)物如圖5所示。
 
  銀鍵合線(xiàn)比金電阻率低,熱導率高,故無(wú)論從導電性還是散熱性都比較好,且其價(jià)格也相對較為便宜。銀線(xiàn)的熱膨脹系數較高,鍵合可靠性問(wèn)題是需要著(zhù)重考慮的。

金線(xiàn)鍵合實(shí)物圖
圖5 金線(xiàn)鍵合實(shí)物圖

 
  綜上所述,不同材料的鍵合引線(xiàn),其主要應用領(lǐng)域不同,均有一定程度的優(yōu)缺點(diǎn)。線(xiàn)鍵合會(huì )有較大的寄生電感,多跟線(xiàn)鍵合時(shí)會(huì )有鄰近效應和電流分配不均等問(wèn)題。帶鍵合雖然可有效地避免上述問(wèn)題,但工藝難度增加,相應的增加制造成本。另外由于鍵合材料熱膨脹系數不匹配引起的熱應力積累,最終會(huì )影響功率器件的可靠性問(wèn)題。因此在選擇鍵合引線(xiàn)時(shí)需要綜合考慮工藝、功率器件可靠性和成本等方面。


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