英飛凌全新可控逆導型IGBT芯片

英飛凌科技股份公司一款采用可控逆導型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續流二極管的6.5kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC（二極管可控逆導型IGBT）IGBT芯片，非常適合現代高速列車(chē)和高性能電力機車(chē)，以及未來(lái)的HVDC輸電系統和傳動(dòng)裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長(cháng)產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統維護工作量。

通過(guò)推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV KE3 IGBT產(chǎn)品的系列。該芯片的電流密度之所以能夠得以提高，是因為它的正向和反向電流的有效硅面積都增加了，因而設計人員可以靈活提高系統輸出功率，而無(wú)需以加大外形尺寸為代價(jià)?；蛘?，利用其更高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，可以在保持功率不變的情況下減少I(mǎi)GBT并聯(lián)數量，從而減小系統尺寸、減輕產(chǎn)品重量，并降低成本。

英飛凌的RCDC IGBT，采用行業(yè)標準尺寸IHV A高絕緣封裝，可輕松進(jìn)行替換現有產(chǎn)品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二極管的單片集成還可大幅改善二極管I2T值，以及IGBT和二極管熱阻（Rth/Zth）。低熱阻確保器件在整個(gè)工作溫度范圍內實(shí)現良好的散熱性能。更低實(shí)際結溫（Tvj）紋波，使器件有更長(cháng)使用壽命，當使用二極管柵極控制時(shí)，可讓設計人員通過(guò)權衡導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)優(yōu)化總體效率。