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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2 V 

在25 C的連續集電極電流: 340 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1.4 kW 

封裝箱體: EconoPACK+ 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 17 mm  

長(cháng)度: 162 mm  

寬度: 150 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 4只

IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動(dòng)態(tài)特性 IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來(lái)運行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成，如下圖所示

IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸 入阻抗特性。 當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一 層進(jìn)行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。 IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類(lèi)： 1．靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性和 開(kāi)關(guān)特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與 柵極電壓之間的關(guān) 系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的 輸出特性相似．也可分為飽和 區 1 、放大區 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態(tài)下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結承擔，反向電壓由 J1 結承擔。如果無(wú) N+ 緩沖區，則正 反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區后，反向關(guān)斷電壓只 能達到幾十 伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應用范圍。