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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

在25 C的連續集電極電流: 1150 A 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

封裝: Tray 

高度: 38 mm  

長(cháng)度: 140 mm  

寬度: 130 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 2只

IGBT 失效的原因分析 在(1) 所用參數的試驗中 ,對 IGB T 的失效已作分析 ,即由 于上、下橋臂共導造成對 IGB T 的重復過(guò)流使 IGB T 失效。 (2) 所用參數的失效原理同(1) ?，F只對(3) 所用參數的失效原 因進(jìn)行分析。如圖 2 ,以 IGBT1 開(kāi)通為例分析 , IGBT1 在開(kāi)通 過(guò)程中 ,由于其 GE 間電壓下降 ,引起 CX1通過(guò) RX1和 IGB T 的 放電電流 I1 及通過(guò) IGB T1 和 RX2對 CX2的允電電流 I2 。因為 (3) 新選參數中 ,RX1 、RX2較小 ,CX1 、CX2較大 ,所以 ,CX1 、CX2上 貯存的電能較大 ,且允放電阻尼較小 ,引起 IGB T 在開(kāi)通過(guò)程 中較大的電流尖峰 I1 + I2 ,對 IGB T 而言 ,由于開(kāi)關(guān)電源負載呈 感性 ,所以此時(shí)負載電流的影響還較小。由于開(kāi)通時(shí)電流尖峰 較大 ,造成較大的開(kāi)通應力 ,久之使 IGBT 失效。

由于(4) 所選 RX 值較大 ,CX 值較小 ,故 CX 上貯存電能較 少 ,IGB T 開(kāi)通過(guò)程中的電流尖峰較小 ,維持時(shí)間也較短 ,減少 了開(kāi)通應力 ,使 IGB T 可安全運行。

結論 IGB T 在應用時(shí) ,其驅動(dòng)電壓上升不能太慢 ,但也不宜太 快 ,驅動(dòng)電壓上升速率太高 ,需要較重的吸收電路才能使 IG2 B T 正常工作 ,但同時(shí)也增大了開(kāi)關(guān)應力 ,使器件壽命縮短。所 以選擇適宜的驅動(dòng)電壓上升速率、較輕的吸收電路參數 ,能使 器件長(cháng)期可靠工作。如能采用零電壓零電流開(kāi)關(guān)技術(shù) ,效果會(huì )更佳。