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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

在25 C的連續集電極電流: 440 A 

柵極射極漏泄電流: 100 nA 

功率耗散: 1800 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

位于17mm IGBT模塊上方的2SC0108T和2SC0435T

17mm 的IGBT模塊在電力電子應用中越來(lái)越流行。Fuji、Infineon、IXYS、Mitsubishi、Semikron和DanfossSilicon Power等眾多生產(chǎn)廠(chǎng)商在市場(chǎng)上供應多種17mm封裝的IGBT模塊。

建議不要直接在IGBT模塊上面使用2SC0108T或2SC0435T驅動(dòng)器，特別是在17mm IGBT模塊上面。開(kāi)通和關(guān)斷瞬間以及特別是在IGBT短路期間的磁場(chǎng)耦合可能會(huì )造成驅動(dòng)器失靈。

AC和DC母線(xiàn)

由于三明結構，層疊直流母排通常產(chǎn)生較低的外部磁場(chǎng)和電場(chǎng)。因此，只要絕緣和電氣間隙充足，門(mén)極驅動(dòng)器可位于直流母排的上方或下方。

但是，涉及交流輸出或橋臂輸出母排的情況則有所不同。輸出電流在輸出母線(xiàn)周?chē)a(chǎn)生磁場(chǎng)，電場(chǎng)的變化速度通常很高。如果驅動(dòng)器直接放置在A(yíng)C母排上方或下方，可能需要進(jìn)行屏蔽。

這可以采用鐵板（用于低頻屏蔽）或厚鋁板或銅板（用于高頻屏蔽）。流經(jīng)屏蔽層的渦流電流將會(huì )部分補償驅動(dòng)器附近產(chǎn)生的磁場(chǎng)。

但是，通常建議AC母排和驅動(dòng)器保持一個(gè)最小距離（通常幾厘米就已足夠），以降低磁場(chǎng)對驅動(dòng)器的影響。一般來(lái)說(shuō)，導通的電流與信號電子元件的相互距離越近，發(fā)生電磁影響的風(fēng)險越高。 

這種可以用數字信號控制的強電開(kāi)關(guān)還有很多種。作為其中的一員，IGBT的特點(diǎn)是，在它這個(gè)電流電壓等級下，它支持的開(kāi)關(guān)速度是最高的，一秒鐘可以開(kāi)關(guān)幾萬(wàn)次。

GTO以前也用在軌道交通列車(chē)上，但是GTO開(kāi)關(guān)速度低，損耗大，現在只有在最大電壓電流超過(guò)IGBT承受范圍才使用;IGCT本質(zhì)上也是GTO，不過(guò)結構做了優(yōu)化，

開(kāi)關(guān)速度和最大電壓電流都介于GTO和IGBT之間;大功率mosFET快是快，但不能支持這么大的電壓電流，否則會(huì )燒掉。