三極管，MOSFET, IGBT的區別？

做開(kāi)關(guān)管來(lái)用的話(huà)，這三種區別還是很明顯的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是，三極管是電流控制電流，MOS管是電壓控制電壓，IGBT是電壓控制電流。

三極管的微觀(guān)構造是兩個(gè)PN結，Vbe就是一個(gè)PN結的壓降大約0.7V，用一個(gè)小電流Ib來(lái)控制一個(gè)大電流Ic?；鶚O電流一般是毫安級別。

MOS管的微觀(guān)構造是一塊半導體上有一個(gè)絕緣層，這個(gè)絕緣層的厚度是根據柵極電壓變化的，就像一個(gè)閘門(mén)一樣，柵極電壓越高閘門(mén)開(kāi)的越大，一般柵壓Vgs在10V左右，不超過(guò)20V，也有專(zhuān)門(mén)的低柵壓mos，柵壓5V就能完全打開(kāi)，由于柵極是絕緣的，所以電流極小，只有微弱的漏電流納安級別。IGBT類(lèi)似上述兩者的結合，用電壓來(lái)控制PN結，適合大電流應用，幾十幾百安培級別。（英飛凌igbt廠(chǎng)家）