IGBT 如何防止靜電擊穿？

IGBT在關(guān)斷時(shí)，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷產(chǎn)生瞬間尖峰電壓，如果尖峰電壓超過(guò)IGBT的最高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞，過(guò)壓損壞可分為集電極-柵極過(guò)壓，柵極-發(fā)射極過(guò)電壓，高du/dt過(guò)電壓。對于du/dt所導致的過(guò)壓故障，基本上采用無(wú)感電容或RCD吸收，由于設計吸收容量不夠而造成損壞，可以采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并聯(lián)齊納二極管，采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制，當集電極電壓瞬間超過(guò)齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上，避免了IGBT因受集電極-發(fā)射極過(guò)壓而損壞。

在GE開(kāi)路時(shí)，若在集電極-發(fā)射極間加上電壓，隨著(zhù)集電極電位的變化，由于漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)，如果此時(shí)集電極-發(fā)射極處于高電壓狀態(tài)，可能使芯片發(fā)熱而損壞，這種情況下，若在主回路上加上電壓也將導致IGBT損壞，應在IGBT的柵極-發(fā)射極之間接一個(gè)10K左右的電阻。

手勿接觸驅動(dòng)端子部分，在使用導電材料連接模塊的驅動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未布好之前先不要接模塊,否則易造成靜電損傷。（英飛凌igbt廠(chǎng)家）