IGBT有什么優(yōu)點(diǎn)？IGBT有什么缺點(diǎn)？
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深圳逸盛通科技有限公司
時(shí)間 : 2018-09-20 21:13 瀏覽量 : 132
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 絕緣柵雙極晶體管)是一種少數載流子器件,具有輸入阻抗高,電流承載能力強的特點(diǎn).從電路設計者的角度來(lái)看,IGBT具有MOS器件的輸入特性且有雙極器件的電流輸出能力,是一種電壓控制型雙極型器件.IGBT被發(fā)明的目的是為了綜合功率MOSFET與BJT兩種器件的優(yōu)點(diǎn).可以講IGBT是功率MOSFET與BJT合二為一的化身.兩者優(yōu)點(diǎn)集中在一體從而能有優(yōu)異的性能.
IGBT適合于功率電路中的很多種應用,尤其是PWM驅動(dòng),三相驅動(dòng)這些需要高動(dòng)態(tài)控制與低噪音的應用場(chǎng)景.其他應用UPS,開(kāi)關(guān)電源等等需要高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)景也適合使用IGBT.IGBT的特點(diǎn)是能提供高的動(dòng)態(tài)性能,轉換效率,同時(shí)具有低的可聽(tīng)到的噪音.它也適用于諧振模式的轉換/逆變電路.有專(zhuān)門(mén)為低傳導損耗與低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)化的IGBT器件.
1.具有非常低的導通壓降與優(yōu)秀的導通電流密度.所以可以使用更小尺寸的器件從而降低成本.
2.因為柵極結構使用MOS管的同類(lèi)設計,所以驅動(dòng)功率非常小,驅動(dòng)電路也很簡(jiǎn)單.與可控硅/BJT這些電流控制型器件來(lái)比,在高壓與高電流應用場(chǎng)景,IGBT非常易于控制.
3.與BJT相比具有更好的電流傳導能力.在正向與反向隔離方面參數也更優(yōu)秀.
1.開(kāi)關(guān)速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因為是少數載流子器件,集電極電流殘余導致關(guān)斷速度較慢.
2.因為內部的PNPN型可控硅結構,有一定概率會(huì )鎖死.
IGBT的長(cháng)處在于增強電壓隔斷的能力.比如說(shuō)對于MOSFET,隨著(zhù)擊穿電壓的增加,導通電阻會(huì )增加非?？?原因在于為了提高擊穿電壓,漂移區的厚度與本身電阻必須增加.所以實(shí)踐中,一般不會(huì )設計同時(shí)具有高電流承載能力與高擊穿電壓的MOSFET.而對于IGBT,因為在導通時(shí)有高度集中的注入少數載流子,漂移區的電阻大大減小.故此漂移區的正向壓降僅僅與其厚度相關(guān)而與其本身的電阻相對獨立.
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