IGBT

IGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅動(dòng)功率和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn)，而且具有大功率晶體管低導通電壓和高導通電流的優(yōu)點(diǎn)。它可以在任何時(shí)間關(guān)斷導通電流，避免了普通晶閘管只能在半波內關(guān)斷的缺點(diǎn)。它是電力電子領(lǐng)域很有前途的大功率半導體器件。

IGBT又稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是電力半導體器件第三次技術(shù)革命的代表產(chǎn)品。廣泛應用于軌道交通、航天、船舶驅動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機驅動(dòng)、汽車(chē)等行業(yè)。它自創(chuàng )立以來(lái)已經(jīng)有大約30年了。它實(shí)現了12英寸的硅片和6500伏的高電平。

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