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英飛凌IGBT廠(chǎng)家 > 英飛凌IGBT > 英飛凌IGBT模塊 FD800R33KF2C 800A 3300V
  • 產(chǎn)品名稱(chēng): 英飛凌IGBT模塊 FD800R33KF2C 800A 3300V

  • 產(chǎn)品類(lèi)型: 英飛凌IGBT

  • 產(chǎn)品型號: FD800R33KF2C

  • 發(fā)布時(shí)間: 2018-09-27


產(chǎn)品描述

基本參數

制造商: 英飛凌

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V 

集電極射極飽和電壓: 3.4 V 

在25 C的連續集電極電流: 1300 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 9.6 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 38 mm  

長(cháng)度: 190 mm  

寬度: 130 mm   

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 1只


IGBT有源鉗位的意義

有源鉗位電路的目標是鉗住IGBT的集電極電位,使其不要到達太

高的水平,如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太高 如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太高,或者太陡,都會(huì )使

IGBT受到威脅。

IGBT在正常情況關(guān)斷時(shí)會(huì )產(chǎn)生一定的電壓尖峰,但是數值不會(huì )太

高,但在變流器過(guò)載或者橋臂短路時(shí) 但在變流器過(guò)載或者橋臂短路時(shí),如果要關(guān)斷管子 如果要關(guān)斷管子,產(chǎn)生的電壓

尖峰則非常高,此時(shí)IGBT非常容易被打壞。

所以有源鉗位電路通常在故障狀態(tài)下才會(huì )動(dòng)作,正常時(shí)不工作。


下圖所示為最基本的有源鉗位電路,只需要TVS管和普通快恢復二極管即可構成。其原理是:當集電極電位過(guò)高時(shí),TVS被擊

穿,有電流流進(jìn)門(mén)極,門(mén)極電位得以抬升,從而使關(guān)斷電流不要過(guò)于陡峭,進(jìn)而減小尖峰。


16.

實(shí)際上有源鉗位電路可以用自動(dòng)控制理論進(jìn)行建模。

在控制理論中,有 個(gè)重要的術(shù)語(yǔ) 有一個(gè)重要的術(shù)語(yǔ),叫“反饋”,它的意思是,將某個(gè)物理量,引導至前面的環(huán)節,從而對該物理量產(chǎn)生影響。

反饋分成兩大類(lèi):

1. 正反饋

2. 負反饋

正反饋的引入會(huì )使某物理量發(fā)散,而負反饋的引入會(huì )使某物理量收斂。有源鉗位正是利用了負反饋的原理,對集電極電位進(jìn)行壓制,使之收斂于某一給定值。

在實(shí)際的有源鉗位 在實(shí)際的有源鉗位 路中 電 ,反饋是存在的,集 極和門(mén)極 間 個(gè)回路建 了 電極和門(mén)極之間通過(guò)一個(gè)回路建立了聯(lián)系。

由于集電極的相位與門(mén)極的相位總是相反的,相差180度,(門(mén)極電位向上時(shí)集電極電位向下),所以反饋系統中存在一個(gè)“負號”,因此這是一個(gè)負反饋。



 為了驗證光伏系統的低電壓穿越過(guò)程,同時(shí)考慮到實(shí)驗室電網(wǎng)實(shí)際容量,建立了由光伏模擬器通過(guò)15KVA 逆變器并網(wǎng)的光伏發(fā)電系統,并網(wǎng)電壓為380V,開(kāi)關(guān)頻率采用與大功率逆變器一致的2K 頻率。在模擬低電壓穿越過(guò)程中,在電網(wǎng)側設置有短路電抗構成的電網(wǎng)跌落模擬器。與仿真一致,分別在實(shí)驗平臺上進(jìn)行15%的平衡跌落與75%的兩相不平衡跌落。


 通過(guò)對光伏電站中核心部件光伏逆變器采用一定的控制策略,可以使其在電網(wǎng)擾動(dòng)或故障導致并網(wǎng)點(diǎn)電壓跌落時(shí)保持并網(wǎng)運行,實(shí)現低電壓穿越,還可以向電網(wǎng)發(fā)送無(wú)功功率以支撐并網(wǎng)點(diǎn)電壓。實(shí)驗表明,在電網(wǎng)電壓跌落到20%時(shí),光伏電站仍可以保持并網(wǎng)運行,并具有一定的無(wú)功電壓支撐能力,滿(mǎn)足并網(wǎng)標準,在三相電壓跌落和單相電壓跌落的情況下,均能實(shí)現良好的低電壓穿越,本文為大型光伏電站低電壓穿越技術(shù)的研究提供了一定的理論依據。


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