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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 3.75 V 

在25 C的連續集電極電流: 370 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1950 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

長(cháng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

對支撐電容C1x和C2x的要求

SCALE-2驅動(dòng)器在DC/DC電源的副邊側配有支撐電容。

這些支撐電容允許功率半導體（特征為門(mén)極電荷）的門(mén)極電容通過(guò)N溝道MOSFET的推動(dòng)級快速充電和放電。

對于IGBT或MOSFET，建議對于每1μC的門(mén)極電荷，對應著(zhù)至少3μF的支撐電容。SCALE-2驅動(dòng)核上缺少的支撐電容必須從外部添加。

支撐電容必須放置在VISOx和VEx之間（下圖中的C1x）以及VEx和COMx之間（下圖中的C2x）。它們必須連接在盡可能靠近驅動(dòng)器端子引腳的位置以使電感最小。

建議對C1x和C2x使用相同的電容值（IGBT模式）。建議使用耐壓>20V的陶瓷電容。請注意，在上電過(guò)程中，由于SCALE-2驅動(dòng)器的軟啟動(dòng)功能，電容的充電電流會(huì )被限制住。

如果所需的電容C1x或C2x的值超過(guò)相應的說(shuō)明或應用手冊中指定的最大值，請聯(lián)系CONCEPT的技術(shù)支持部門(mén)。

請注意，建議不要使用電解電容，例如鉭電解電容。

驅動(dòng)與保護：短路保護

Vce檢測：

.適用于直通短路等“硬”短路（低寄生電感回路）的保護

.不適合用于過(guò)流保護

.注意De-sat二極管的選擇

.消隱電容的選擇受電流源誤差影響

?軟關(guān)斷：在檢測到短路后，驅動(dòng)器輸出較高阻抗，等效于很大的門(mén)極電阻值，限制di/dt和電壓尖峰。

兩電平關(guān)斷：在檢測到短路后，驅動(dòng)器迫使門(mén)極電壓下降到第二電平（如9V-11V），以降低短路電流，延長(cháng)IGBT的短路允許承受時(shí)間。