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詳細參數

制造商: Infineon 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.2 V 

在25 C的連續集電極電流: 1400 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 9.55 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V   

工廠(chǎng)包裝數量: 2只

IGBT的退飽和行為的介紹

IGBT的外特性的形狀實(shí)際上和三極管及MOSFET的外特性是相似的，在 IGBT的線(xiàn)性區，門(mén)極電壓與短路電流的關(guān)系是線(xiàn)性的。 IGBT退飽和行為，其字面的意思是“退出了飽和區”，實(shí)際就是“進(jìn)入線(xiàn) 性區”的另外一種說(shuō)法。 IGBT的電流如果持續增大，當到達某一個(gè)點(diǎn)（退飽和點(diǎn)）時(shí)，IGBT的 Vce會(huì )發(fā)生顯著(zhù)變化，會(huì )在非常短的時(shí)間內（例如幾百納秒內）上升至 直流母線(xiàn)電壓。退飽和行為的標志就是Vcesat上升至直流母線(xiàn)電壓。 Vcesat在飽和區內的變化是非常微弱的，如果想利用飽和壓降的變化來(lái) 辨識IGBT的電流是很困難的，通常我們只辨識IGBT的退飽和行為。