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詳細參數

制造商: Infineon 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

配置: Dual 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

25 C的連續集電極電流: 1390 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 6.25 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

高度: 38 mm  

長(cháng)度: 250 mm  

寬度: 89 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

工廠(chǎng)包裝數量: 2只

一類(lèi)短路

發(fā)生 類(lèi)短路時(shí) 發(fā)生一類(lèi)短路時(shí)，IGBT的電流會(huì )快速上升，當電流上升到一定數值 時(shí)，（一般為4倍額定電流）， IGBT會(huì )發(fā)生退飽和現象其標志，其標志 是IGBT的電壓會(huì )迅速上升至直流 母線(xiàn)電壓。 當IGBT退出飽和區后，IGBT的電 流為4倍額定電流（此倍數與芯片 類(lèi)型有關(guān)），電壓為母線(xiàn)電壓，（ 外電路的所有電動(dòng)勢都壓在IGBT 上），IGBT芯片的損耗非常大， 根據規格書(shū)，其最多能耐受10us的 短路狀態(tài)。驅動(dòng)器需要在此時(shí)間內 Vce(sat) 檢測電路監控 短路狀態(tài)。驅動(dòng)器需要在此時(shí)間內 把IGBT關(guān)掉，此時(shí)的關(guān)斷是完全安全的

二類(lèi)短路

發(fā)生二類(lèi)短路時(shí) 由于回路的電感量稍大，電流爬升的速度慢了一些 ，(比一類(lèi)短路慢，但實(shí)際還是很 快的)，門(mén)極脈沖打開(kāi)時(shí)，IGBT的 Vce下降至飽和壓降，隨著(zhù)電流進(jìn) 一步加大，飽和壓降輕微上升；當 電流到達“退飽和點(diǎn)”時(shí)，Vce迅速 上升至直流母線(xiàn)電壓，我們把Vce 上升的過(guò)程稱(chēng)為“退飽和”行為。當 IGBT退出飽和區后，其損耗要比 未退飽和前高數百倍，因為Vce從 幾伏上升至幾百伏，而電流則沒(méi)有 明顯變化。從退飽和算起，10us內 須關(guān)斷 Vce(sat) 檢測電路監控 ，必 IGBT。 另外，還需要注意的是，當IGBT電流上升的過(guò)程中，Vge也在上升，這是一 種米勒效應，IGBT在短路時(shí)，門(mén)極電壓有被向上抬升的趨勢 門(mén)極電壓有被向上抬升的趨勢。