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詳細參數說(shuō)明

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.1 V 

在25 C的連續集電極電流: 420 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1550 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C  

高度: 30.5 mm  

長(cháng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

MOSFET模式（不可用于2SC0108T）

在IGBT模式下，正開(kāi)通門(mén)極電壓可穩定在+15V，負關(guān)斷門(mén)極電壓為負值，對于SCALE-2驅動(dòng)核通常為大約-10V。借助MOSFET模式，可將關(guān)斷門(mén)極電壓設置為0V。

建議按照下面的方法操作以在SCALE-2驅動(dòng)核上激活MOSFET模式：

1.將副邊端子COMx和VEx連接在一起。這必須在驅動(dòng)器電源關(guān)斷的情況下執行，否則可能會(huì )損壞次級ASICIGD。

如有必要，可使用下圖中的支撐電容C21。支撐電容C22不再需要，因為它們已經(jīng)被短路。

2.選擇開(kāi)通時(shí)所需的門(mén)極-發(fā)射極電壓。原方電源電壓VCC仍需要為+15V。改變原方的VDC使副方VISOx到COMx的電壓調節到10V到20V之間。這對應于門(mén)極的導通電壓。

VDC至VISOx-COMx的傳輸比的典型值為1.67。副方的欠壓保護點(diǎn)從IGBT模式下的12.6V變?yōu)镸OSFET模式下的8.75V（典型值）。VDC電壓在

MOSFET模式下低于大約5.2V會(huì )產(chǎn)生欠壓故障。例如，VDC=6V通?？僧a(chǎn)生10V的正門(mén)極導通電壓。但是請注意，此值取決于驅動(dòng)器輸出功率和溫度。

3.VCE檢測的參考電壓Vth（需要使用Rth設定）必須設置為不低于4V的值（參考COMx）。

請注意，MOSFET模式設計主要用于實(shí)現超快速MOSFET開(kāi)關(guān)。因此，開(kāi)關(guān)延遲需要降到最小，這樣就需要單電源驅動(dòng)電壓。

MOSFET的門(mén)極-發(fā)射極開(kāi)通閾值電壓較低。因此，MOSFET模式的使用不是總被推薦的，而需要視應用而定。

IGBT模式也可以用于驅動(dòng)MOSFET，因為關(guān)斷狀態(tài)下的負的門(mén)極-發(fā)射極電壓可以避免寄生導通。

從功能上來(lái)說(shuō)，IGBT就是一個(gè)電路開(kāi)關(guān)，用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。

(相對而言，手機、電腦電路板上跑的電電壓低，以傳輸信號為主，都屬于弱電。)

可以認為就是一個(gè)晶體管，電壓電流超大而已。