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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.5 V 

在25 C的連續集電極電流: 290 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1.4 kW  

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

高度: 30.9 mm  

長(cháng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: 20 V  

包裝數量: 10只

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。

因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分，當必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí)，

在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 

在應用中有時(shí)雖然保證了柵極驅動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì )產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。

為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅動(dòng)信號，以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著(zhù)集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。

這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

眾所周知，變頻器在工業(yè)領(lǐng)域應用非常廣泛，而目前，隨著(zhù)節能環(huán)保理念逐漸成為一種趨勢的情況下，對變頻器提出了更高的要求。

基于對中國市場(chǎng)客戶(hù)需求的理解，英飛凌推出全新Advantage 系列IGBT產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品針對中國企業(yè)的需求，同時(shí)對產(chǎn)品性能和可靠性進(jìn)行了優(yōu)化，為中國變頻器廠(chǎng)家在不同場(chǎng)景下的差異化需求提供了高性?xún)r(jià)比的解決方案。