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基本參數

制造商: 英飛凌

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.6 V 

在25 C的連續集電極電流: 300 A 

柵極射極漏泄電流: 200 nA 

功率耗散: 1.25 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

長(cháng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

門(mén)極電壓：關(guān)斷電壓-Vge或0V

用-Vge（-5V…-15V)使IGBT 關(guān)斷更可靠，有利于防止誤 開(kāi)通。 ? 

用0V關(guān)斷，可考慮采用有源 米勒箝位使關(guān)斷更可靠（見(jiàn) 后頁(yè)“驅動(dòng)與保護”）。 ? 

用0V…+15V開(kāi)關(guān)時(shí)，門(mén)極電 荷較小(以600V IGBT3為例， Qg為-15V…+15V時(shí)的40%）， 門(mén)極驅動(dòng)電流較小。 ? 

用0V關(guān)斷時(shí)，toff和Eoff較 大（以600V IGBT3為例： toff為-15V時(shí)的2-3倍，Eoff 比-15V時(shí)增加約10%）。 

注意：Vge規格-最大允許值 ±20V

門(mén)極電阻 ? 

Rg對開(kāi)通影響大，表現在以下幾個(gè)方面： - 開(kāi)通能耗（Eon） - IGBT的電流尖峰（續流二極管的反向恢復電流） - dv/dt ?

Rg對關(guān)斷影響不明顯，表現在以下幾個(gè)方面： - 關(guān)斷能耗（Eoff） - di/dt（主要由芯片技術(shù)決定，Rg很大時(shí)才有影響） - dv/dt ? 

Rg對開(kāi)通和關(guān)斷延時(shí)都有影響

Rg下限：規格書(shū)中的測試條件 ? 

Rg上限：IGBT損耗/發(fā)熱，死區時(shí)間 ? 

功率計算（假設驅動(dòng)功耗都消耗在 Rg上）： Pg = ?Vge × Qg × fsw × 2 其中：?Vge = Vcc - Vss Qg = ?Vge/30 × QG QG：見(jiàn)規格書(shū)（-15V…+15V） fsw：開(kāi)關(guān)頻率 ? 

IGBT并聯(lián)時(shí)，建議每個(gè)IGBT一個(gè)Rg （共用一個(gè)驅動(dòng)器），以減小IGBT 內置門(mén)極電阻值誤差對開(kāi)關(guān)一致性 的影響。