電力MOSFET和IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程內部載流子運動(dòng)狀況？

mosfet的開(kāi)通，簡(jiǎn)單來(lái)講，當在gate上加電壓，gate電位上升超過(guò)vt，靠近gate的p型body被反形成n型channel，source和drain之間有一條襯底n+到n 外延層，到n channel再到n+的通路。n型通路里的多子，也就是電子，在電場(chǎng)作用下流動(dòng)形成電流。關(guān)斷時(shí)，gate上電勢下降，channel消失，電子電流切斷。漂移區電子在pn junction的內建電場(chǎng)下掃出漂移區。

igbt比較復雜，開(kāi)通時(shí)，可以簡(jiǎn)單看成是頂部mosfet和一個(gè)pnp三極管的組合，其中pnp由p body，n 漂移區和p+ 集電極組成。mosfet的drain接到pnp的n。和mosfet一樣，開(kāi)通時(shí)channel形成，形成了n漂移區到n channel再到n+的通路。在電場(chǎng)下有由n漂移區到發(fā)射極的電子電流。這個(gè)電子電流相當于pnp三極管的基極電流，它觸發(fā)了由p+和n漂移區之間的大注入，大量空穴由p+注進(jìn)漂移區，在電場(chǎng)作用下空穴經(jīng)過(guò)漂移區到頂部發(fā)射極。關(guān)斷時(shí)，channel消失，漂移區的電子電流消失，空穴停止注入。然后滯留在漂移區的多余空穴在電場(chǎng)和復合作用下消失，該過(guò)程一般較長(cháng)。（英飛凌igbt廠(chǎng)家）