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詳細參數說(shuō)明

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

在25 C的連續集電極電流: 310 A 

柵極射極漏泄電流: 100 nA 

功率耗散: 1250 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

動(dòng)態(tài)有源鉗位電路的介紹

我們將有源鉗位的動(dòng)作門(mén)檻設置成動(dòng)態(tài)的 我們將有源鉗位的動(dòng)作門(mén)檻設置成動(dòng)態(tài)的，Vth1是高門(mén)檻，Vth2是低門(mén)檻。

在IGBT開(kāi)通時(shí)刻，同步地將門(mén)檻降低為Vth2，在IGBT關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間(約15~20us)，然后將有源鉗位的動(dòng)作門(mén)檻提高到Vth1。

這樣IGBT在導通狀態(tài)和截止狀態(tài)時(shí)，其有源鉗位電路的動(dòng)作門(mén)檻電壓是有區別的。

這樣并不影響有源鉗位電路的本意，因為IGBT在關(guān)斷瞬間，鉗位門(mén)檻是在Vth2。用低門(mén)檻對IGBT的關(guān)斷行為進(jìn)行防護。

如果母線(xiàn)電壓因為某種原因而升高，IGBT在關(guān)斷態(tài)時(shí)，鉗位電路的門(mén)檻處在高位，不會(huì )發(fā)生有源鉗位電路動(dòng)作這種方案能較好的解決某些應用中很現實(shí)的問(wèn)題，

是一種非常有競爭力的解決方案。

SCALE-2原方芯片有2個(gè)重要的特點(diǎn)：

1. 芯片的帶寬很高，可以響應極高頻的信號。

這樣做可以使芯片組能支持 這樣做可以使芯片組能支持IGBT驅動(dòng)器的直接并聯(lián)使用 驅動(dòng)器的直接并聯(lián)使用，以及支持IGBT的串聯(lián)使用，或者說(shuō)，為IGBT串聯(lián)提供一個(gè)重要的技術(shù)前提。

2. 芯片的INA及INB的輸入跳變電平比較低 的輸入跳變電平比較低。

雖然具有施密特特性，分別為2.6V及1.3V，但如果噪聲超過(guò)了這個(gè)數值，驅動(dòng)器也能響應。