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詳細參數

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

在25 C的連續集電極電流: 390 A 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

長(cháng)度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

驅動(dòng)器副邊電源電壓處理方法

通?，F在的設計中，在IGBT的門(mén)極與發(fā)射極之間會(huì )放置一個(gè)阻值大約在2K~10K的電阻。

這個(gè)電阻的作用是在門(mén)極開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，減小門(mén)極的阻抗，用以防止靜電損壞門(mén)極。

但實(shí)際上，在電路安裝完成后，這個(gè)電阻就不再其作用了。

如果安裝IGBT的環(huán)節的防靜電手段比較到位的話(huà)，并不用擔心門(mén)極被靜電打壞。

VE是接在IGBT的發(fā)射極上的，根據上頁(yè)的陳述，GE之間的電阻對于VE來(lái)說(shuō)就是靜態(tài)負載 來(lái)說(shuō)就是靜態(tài)負載，在SCALE-2芯片應用中，這是不允許的。

SCALE-2芯片的短路保護原理

1. 當IGBT導通時(shí)，紅點(diǎn)電位從-10V開(kāi)始上升（內部mosfet把紅點(diǎn)電位鉗在-10V），IGBT集電極電位下降至 集電極電位下降至Vcesat，最終紅點(diǎn)也到達 最終紅點(diǎn)也到達Vcesat；

2. 當IGBT短路后，IGBT會(huì )退出飽和區，此時(shí)藍點(diǎn)電位迅速上升至直流母線(xiàn)電壓，藍點(diǎn)會(huì )通過(guò)電阻向紅點(diǎn)充電，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后（例如5us），紅點(diǎn)電位會(huì )上升至綠點(diǎn)，比較器翻轉，IGBT被關(guān)斷。

報錯信號的處理

對于光接 的即插即用驅動(dòng)器 口的即插即用驅動(dòng)器，需要在 控系統中將驅動(dòng)器 主控系統中將驅動(dòng)器送出的光信號轉換為電信號，如下圖所示電路。

再通過(guò)CPLD對此脈寬進(jìn)行識別，例如，700~900ns的脈沖為正常的應答信號，而超過(guò)1 5us 2us 1.5us~2us的脈寬則認定為故障信號 的脈寬則認定為故障信號。