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產(chǎn)品名稱(chēng): 英飛凌IGBT模塊 FF150R12KS4 150A 1200V
產(chǎn)品類(lèi)型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: FF150R12KS4
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細參數
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 225 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.25 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.5 mm
長(cháng)度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數量: 10只
使用電阻的退飽和保護
集電極檢測回路必須按照圖8和9中顯示的電路連接到IGBT集電極或MOSFET漏極，以檢測IGBT或MOSFET過(guò)流或短路。
在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下，驅動(dòng)器的內部MOSFET將引腳VCEx連接到引腳COMx。然后，電容Cax被預充電/放電至負電
源電壓，該電容電壓（下圖中的紅圈）相對于VEx大約為-10V。在這段時(shí)間內，電流通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò )和二極管
BAS416從集電極（下圖中的藍圈）流向VISOx。此電流受電阻串限制。
建議設置Rvcex的電阻值，以使Rvcex流過(guò)大約為IRvcex=0.6-1mA的電流（例如，VDC-LINK電壓為1200V時(shí)，設置為1.2-1.8M?）。
可以使用高壓電阻以及多電阻串聯(lián)。在任何情況下，都應考慮與應用相關(guān)的最小爬電距離。
參考電壓通過(guò)電阻Rthx設置。它通過(guò)參考電流（典型值為150uA）和參考電阻Rthx（下中的綠圈）計算得出 。
CONCEPT建議使用Rthx=68k?來(lái)檢測短路。較低的電阻值可使系統更加靈敏，然而在IGBT發(fā)生退飽和（短路）時(shí)卻不會(huì )帶來(lái)任何優(yōu)勢。
在IGBT打開(kāi)且處于導通狀態(tài)下時(shí)，上述MOSFET關(guān)閉。隨著(zhù)VCE降低（下中的藍色曲線(xiàn)），Cax電勢從COMx被充電至IGBT飽和電壓（下中的紅色曲線(xiàn)所示）。
Cax充電所需的時(shí)間取決于直流母線(xiàn)電壓、電阻值Rax和電容值Cax。對于1200V和1700V IGBT，建議設置Rax=120k?。
對于600V IGBT，建議值為Rax=62k?。相應的短路響應時(shí)間在對應的應用手冊中已被給出，該響應時(shí)間所對應的短路情形所指的最低母線(xiàn)電壓大約為25V*Rvcex/Rax。
請注意，短路響應時(shí)間將會(huì )隨著(zhù)直流母線(xiàn)電壓的降低而增大，而IGBT在短路情況下耗散的能量則通常保持在相同水平甚至更低。
IGBT的續流二極管的反向恢復效應被人們所熟知，而這種而這種二極管其實(shí)也存在正向恢復效應。
正向恢復效應發(fā)生的時(shí)刻：正向恢復發(fā)生在二極管開(kāi)通的時(shí)刻，在下管IGBT關(guān)斷的瞬間，IGBT的電流就要轉移到上管的續流二極管，在這一瞬間，上管的二極管發(fā)生正向恢復過(guò)程。
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